หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIR582DP-T1-RE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIR582DP-T1-RE3-DG
คำอธิบาย:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 28.9A (Ta), 116A (Tc) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
สินค้าคงคลัง:
1850 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12974576
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIR582DP-T1-RE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
TrenchFET® Gen V
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
28.9A (Ta), 116A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
7.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3360 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8
แพคเกจ / เคส
PowerPAK® SO-8
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
742-SIR582DP-T1-RE3DKR
742-SIR582DP-T1-RE3CT
742-SIR582DP-T1-RE3TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6P100BHTB1
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
จำนวนที่มีอยู่
2725
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6P100BHTB1-DG
ราคาต่อหน่วย
1.35
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6N120BHTB1
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
จำนวนที่มีอยู่
1763
หมายเลขชิ้นส่วน
RS6N120BHTB1-DG
ราคาต่อหน่วย
1.14
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
NVMFS5C410NWFET1G
T6-40V N 0.92 MOHMS SL
