FDMS86163P-23507X
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

FDMS86163P-23507X

Product Overview

ผู้ผลิต:

onsemi

หมายเลขชิ้นส่วน:

FDMS86163P-23507X-DG

คำอธิบาย:

FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
รายละเอียด:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

สินค้าคงคลัง:

12974579
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง

FDMS86163P-23507X สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
PowerTrench®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±25V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4085 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-PQFN (5x6)
แพคเกจ / เคส
8-PowerTDFN

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
488-FDMS86163P-23507XTR

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
onsemi

NTTFS080N10GTAG

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

onsemi

NVMFS5C410NWFET1G

T6-40V N 0.92 MOHMS SL

onsemi

NTMFSS1D3N06CL

60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOW