หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRF9Z34NL
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRF9Z34NL-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
รายละเอียด:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
สินค้าคงคลัง:
12804317
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRF9Z34NL สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
55 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
19A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
620 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-262
แพคเกจ / เคส
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
*IRF9Z34NL
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS non-compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFSL4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO262
IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPU60R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251