หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
IRFSL4410ZPBF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IRFSL4410ZPBF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 97A TO262
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
สินค้าคงคลัง:
12804321
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
Pl2u
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
IRFSL4410ZPBF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
HEXFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
97A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 150µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4820 pF @ 50 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
230W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-262
แพคเกจ / เคส
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
IRFSL4410
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
IRFSL4410ZPBF-DG
448-IRFSL4410ZPBF
SP001557638
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IPI086N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
270
หมายเลขชิ้นส่วน
IPI086N10N3GXKSA1-DG
ราคาต่อหน่วย
0.69
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
IPI076N12N3GAKSA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
498
หมายเลขชิ้นส่วน
IPI076N12N3GAKSA1-DG
ราคาต่อหน่วย
1.44
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRFS4310ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPU60R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
IPB77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
