หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SUP50020E-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SUP50020E-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
รายละเอียด:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
สินค้าคงคลัง:
12787061
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SUP50020E-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
7.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
375W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220AB
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SUP50020
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
FDP023N08B-F102
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
890
หมายเลขชิ้นส่วน
FDP023N08B-F102-DG
ราคาต่อหน่วย
1.57
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
TK100E06N1,S1X
ผู้ผลิต
Toshiba Semiconductor and Storage
จำนวนที่มีอยู่
11
หมายเลขชิ้นส่วน
TK100E06N1,S1X-DG
ราคาต่อหน่วย
1.09
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SIHB12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
