หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SQJ414EP-T1_GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SQJ414EP-T1_GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
รายละเอียด:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
สินค้าคงคลัง:
12918457
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SQJ414EP-T1_GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1110 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
45W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerPAK® SO-8
แพคเกจ / เคส
PowerPAK® SO-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SQJ414
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SQJ414EP-T1_GE3DKR
SQJ414EP-T1_GE3TR
SQJ414EP-T1_GE3CT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
SQJ414EP-T1_BE3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
17929
หมายเลขชิ้นส่วน
SQJ414EP-T1_BE3-DG
ราคาต่อหน่วย
0.28
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI4688DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
BUK763R6-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK