หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIJH5800E-T1-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIJH5800E-T1-GE3-DG
คำอธิบาย:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
สินค้าคงคลัง:
4025 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
13001695
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIJH5800E-T1-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
30A (Ta), 302A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
7.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
7730 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerPAK® 8 x 8
แพคเกจ / เคส
PowerPAK® 8 x 8
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,000
ชื่ออื่น ๆ
742-SIJH5800E-T1-GE3DKR
742-SIJH5800E-T1-GE3CT
742-SIJH5800E-T1-GE3TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
MCU12P06Y-TP
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
G400P06T
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
R6055VNZC17
600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
