บ้าน
สินค้า
ผู้ผลิต
เกี่ยวกับ DiGi
ติดต่อเรา
บล็อกและโพสต์
ขอราคา/ใบเสนอราคา
Thailand
เข้าสู่ระบบ
เลือกภาษา
ภาษาปัจจุบันที่คุณเลือก
Thailand
สวิทช์:
ปุ่ม
ยุโรป
สหราชอาณาจักร
ฝรั่งเศส
สเปน
ตุรกี
มอลโดวา
ลิธัวเนีย
นอร์เวย์
เยอรมนี
โปรตุเกส
สโลวาเกีย
ltaly
ฟินแลนด์
รัสเซีย
บัลแกเรีย
เดนมาร์ก
เอสโทเนีย
โปแลนด์
ยูเครน
สโลวีเนีย
เชก
กรีก
โครเอเชีย
อิสราเอล
เซอร์เบียแอนด์มอนเทเนโกร
เบลารุส
เนเธอร์แลนด์
สวีเดน
มอนเตเนโกร
บาส์ก
ไอซ์แลนด์
บอสเนีย
ฮังการี
โรมาเนีย
ออสเตรีย
เบลเยียม
ไอร์แลนด์
เอเชีย / แปซิฟิก
จีน
เวียดนาม
อินโดนีเซีย
ไทย
ลาว
ฟิลิปปินส์
มาเลเซีย
เกาหลี
ญี่ปุ่น
ฮ่องกง
ไต้หวัน
สิงคโปร์
ปากีสถาน
ซาอุดิอาระเบีย
กาตาร์
คูเวต
กัมพูชา
พม่า
แอฟริกาอินเดียและตะวันออกกลาง
สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์
ทาจิกิสถาน
มาดากัสการ์
อินเดีย
อิหร่าน
ดีอาร์คองโก
แอฟริกาใต้
อียิปต์
เคนย่า
แทนซาเนีย
กานา
เซเนกัล
โมร็อคโค
ตูนิเซีย
อเมริกาใต้ / โอเชียเนีย
นิวซีแลนด์
แองโกลา
บราซิล
โมซัมบิก
เปรู
โคลัมเบีย
ชิลี
เวเนซุเอลา
เอกวาดอร์
โบลิเวีย
อุรุกวัย
อาร์เจนติน่า
ปารากวัย
ออสเตรเลีย
อเมริกาเหนือ
สหรัฐอเมริกา
เฮติ
แคนาดา
คอสตาริก้า
เม็กซิโก
เกี่ยวกับ DiGi
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับเรา
การรับรองของเรา
DiGi แนะนำ
ทำไม DiGi
นโยบาย
นโยบายคุณภาพ
ข้อกำหนดการใช้งาน
การปฏิบัติตาม RoHS
กระบวนการคืนสินค้า
ทรัพยากร
หมวดหมู่สินค้า
ผู้ผลิต
บล็อกและโพสต์
บริการ
การรับประกันคุณภาพ
วิธีการชำระเงิน
การจัดส่งทั่วโลก
อัตราค่าขนส่ง
คำถามที่พบบ่อย
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIHP21N65EF-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
สินค้าคงคลัง:
RFQ ออนไลน์
12787533
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
*
บริษัท
*
ชื่อผู้ติดต่อ
*
โทรศัพท์
*
อีเมล
ที่อยู่ในการจัดส่ง
ข้อความ
x
2
i
w
(
*
) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIHP21N65EF-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
21A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2322 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
208W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220AB
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SIHP21
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
SIHP21N65EF-GE3-DG
เอกสารข้อมูล
SIHP21N65EF-GE3
เอกสารข้อมูลสินค้า
SIHB21N65EF
Packaging Information
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
STP25N60M2-EP
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
1008
หมายเลขชิ้นส่วน
STP25N60M2-EP-DG
ราคาต่อหน่วย
1.19
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
TK17E65W,S1X
ผู้ผลิต
Toshiba Semiconductor and Storage
จำนวนที่มีอยู่
12
หมายเลขชิ้นส่วน
TK17E65W,S1X-DG
ราคาต่อหน่วย
1.35
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
STP31N65M5
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
1095
หมายเลขชิ้นส่วน
STP31N65M5-DG
ราคาต่อหน่วย
1.77
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
STP20N65M5
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
945
หมายเลขชิ้นส่วน
STP20N65M5-DG
ราคาต่อหน่วย
1.36
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB