หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIHP105N60EF-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIHP105N60EF-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
สินค้าคงคลัง:
12918191
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
vNYm
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIHP105N60EF-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
EF
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
29A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1804 pF @ 100 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
208W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220AB
แพคเกจ / เคส
TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SIHP105
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
SIHG105N60EF-GE3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
463
หมายเลขชิ้นส่วน
SIHG105N60EF-GE3-DG
ราคาต่อหน่วย
1.84
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SI3493DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
