หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIHFR1N60A-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIHFR1N60A-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA
สินค้าคงคลัง:
12965596
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIHFR1N60A-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
229 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
36W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-252AA
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SIHFR1
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SIHFR1N60A-GE3CTINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3CT-DG
SIHFR1N60A-GE3DKRINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3DKR
SIHFR1N60A-GE3DKR-DG
SIHFR1N60A-GE3CT
SIHFR1N60A-GE3TR-DG
SIHFR1N60A-GE3TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR1N60APBF
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
3041
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR1N60APBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.59
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
