หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SIA917DJ-T1-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SIA917DJ-T1-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
รายละเอียด:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
สินค้าคงคลัง:
12920629
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SIA917DJ-T1-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
9nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
250pF @ 10V
กําลัง - สูงสุด
6.5W
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
PowerPAK® SC-70-6 Dual
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerPAK® SC-70-6 Dual
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SIA917
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SIA917DJT1GE3
SIA917DJ-T1-GE3DKR
SIA917DJ-T1-GE3CT
SIA917DJ-T1-GE3TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
NTLJD3115PT1G
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
14268
หมายเลขชิ้นส่วน
NTLJD3115PT1G-DG
ราคาต่อหน่วย
0.20
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
FDMA1029PZ
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
8411
หมายเลขชิ้นส่วน
FDMA1029PZ-DG
ราคาต่อหน่วย
0.26
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
SIA921EDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
7568
หมายเลขชิ้นส่วน
SIA921EDJ-T1-GE3-DG
ราคาต่อหน่วย
0.18
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12
