หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SI7117DN-T1-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SI7117DN-T1-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
รายละเอียด:
P-Channel 150 V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
สินค้าคงคลัง:
1998 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12919737
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SI7117DN-T1-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
150 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
2.17A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
510 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PowerPAK® 1212-8
แพคเกจ / เคส
PowerPAK® 1212-8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SI7117
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SI7117DN-T1-GE3-DG
SI7117DN-T1-GE3CT
SI7117DN-T1-GE3TR
SI7117DN-T1-GE3DKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
FDMC86265P
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
1300
หมายเลขชิ้นส่วน
FDMC86265P-DG
ราคาต่อหน่วย
0.65
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
SI7117DN-T1-E3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
7500
หมายเลขชิ้นส่วน
SI7117DN-T1-E3-DG
ราคาต่อหน่วย
0.45
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SIR850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SI7434DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
