หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SI2372DS-T1-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SI2372DS-T1-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
รายละเอียด:
N-Channel 30 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
สินค้าคงคลัง:
12913082
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SI2372DS-T1-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
30 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
4A (Ta), 5.3A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
33mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
288 pF @ 15 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SOT-23-3 (TO-236)
แพคเกจ / เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SI2372
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SI2372DS-T1-GE3TR
SI2372DS-T1-GE3DKR
SI2372DS-T1-GE3CT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
PMV42ENER
ผู้ผลิต
Nexperia USA Inc.
จำนวนที่มีอยู่
12739
หมายเลขชิ้นส่วน
PMV42ENER-DG
ราคาต่อหน่วย
0.06
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
SI3404-TP
ผู้ผลิต
Micro Commercial Co
จำนวนที่มีอยู่
18431
หมายเลขชิ้นส่วน
SI3404-TP-DG
ราคาต่อหน่วย
0.05
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
IRL540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
IRFR420TRL
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
IRFUC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
