หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SI1039X-T1-GE3
Product Overview
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
หมายเลขชิ้นส่วน:
SI1039X-T1-GE3-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
รายละเอียด:
P-Channel 12 V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
สินค้าคงคลัง:
12912701
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SI1039X-T1-GE3 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Vishay
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
TrenchFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
12 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
870mA (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
165mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
±8V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
170mW (Ta)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SC-89 (SOT-563F)
แพคเกจ / เคส
SOT-563, SOT-666
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SI1039
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
SI1039X-T1-GE3DKR
SI1039XT1GE3
SI1039X-T1-GE3CT
SI1039X-T1-GE3TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
SI1077X-T1-GE3
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
15055
หมายเลขชิ้นส่วน
SI1077X-T1-GE3-DG
ราคาต่อหน่วย
0.09
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SI3430DV-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
SI7143DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8