หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TPW1R005PL,L1Q
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TPW1R005PL,L1Q-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
รายละเอียด:
N-Channel 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
สินค้าคงคลัง:
13883 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12890354
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
9jYV
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TPW1R005PL,L1Q สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
U-MOSIX-H
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
45 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
300A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
4.5V, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
9600 pF @ 22.5 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
960mW (Ta), 170W (Tc)
อุณหภูมิ
175°C
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-DSOP Advance
แพคเกจ / เคส
8-PowerWDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TPW1R005
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
TPW1R005PLL1QCT
TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
TPW1R005PLL1QDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
TK7A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
TK30A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
