TPH4R008NH,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

TPH4R008NH,L1Q

Product Overview

ผู้ผลิต:

Toshiba Semiconductor and Storage

หมายเลขชิ้นส่วน:

TPH4R008NH,L1Q-DG

คำอธิบาย:

MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

สินค้าคงคลัง:

12476 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12890500
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง

TPH4R008NH,L1Q สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
U-MOSVIII-H
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
60A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5300 pF @ 40 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-SOP Advance (5x5)
แพคเกจ / เคส
8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TPH4R008

ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า
TPH4R008NH

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน
5,000
ชื่ออื่น ๆ
TPH4R008NHL1QDKR
TPH4R008NHL1QTR
TPH4R008NHL1QCT
TPH4R008NH,L1Q(M

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

สถานะ RoHS
RoHS Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
สินค้าเกี่ยวข้อง
toshiba-semiconductor-and-storage

TK35N65W5,S1F

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8031-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

diodes

DMN3009LFVW-13

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK