หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
รายละเอียด:
N-Channel 550 V 8.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
สินค้าคงคลัง:
50 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12891418
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
mwRV
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TK9A55DA(STA4,Q,M) สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
π-MOSVII
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
550 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
860mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1050 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
40W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220SIS
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TK9A55
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
TK9A55DASTA4QM
TK9A55DA(STA4QM)
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TPCC8009,LQ(O
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
TPCA8009-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP
TK1K9A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS