หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TK8A10K3,S5Q-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
สินค้าคงคลัง:
12889463
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
2VvL
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TK8A10K3,S5Q สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
U-MOSIV
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
8A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
530 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
18W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220SIS
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TK8A10
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
TK22A10N1,S4X
ผู้ผลิต
Toshiba Semiconductor and Storage
จำนวนที่มีอยู่
29
หมายเลขชิ้นส่วน
TK22A10N1,S4X-DG
ราคาต่อหน่วย
0.47
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Direct
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
SSM3K337R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
