หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TK62N60W,S1VF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TK62N60W,S1VF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
สินค้าคงคลัง:
12890640
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
ZcVL
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TK62N60W,S1VF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
DTMOSIV
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.7V @ 3.1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6500 pF @ 300 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
400W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-247
แพคเกจ / เคส
TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TK62N60
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
TK62N60W,S1VF(S
TK62N60WS1VF
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
APT77N60BC6
ผู้ผลิต
Microchip Technology
จำนวนที่มีอยู่
3
หมายเลขชิ้นส่วน
APT77N60BC6-DG
ราคาต่อหน่วย
10.10
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
IXKH70N60C5
ผู้ผลิต
IXYS
จำนวนที่มีอยู่
301
หมายเลขชิ้นส่วน
IXKH70N60C5-DG
ราคาต่อหน่วย
14.49
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
