หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TK28N65W5,S1F
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TK28N65W5,S1F-DG
คำอธิบาย:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
สินค้าคงคลัง:
30 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12920874
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TK28N65W5,S1F สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
27.6A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 1.6mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3000 pF @ 300 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
230W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-247
แพคเกจ / เคส
TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TK28N65
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
264-TK28N65W5S1F
TK28N65W5,S1F(S
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TK1K7A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK5R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK22A65X,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
