หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
TK100A06N1,S4X
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
TK100A06N1,S4X-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
รายละเอียด:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
สินค้าคงคลัง:
25 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12890725
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
aHCg
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
TK100A06N1,S4X สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
U-MOSVIII-H
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
10500 pF @ 30 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
45W (Tc)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220SIS
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
TK100A06
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
50
ชื่ออื่น ๆ
TK100A06N1,S4X(S
TK100A06N1,S4X-DG
TK100A06N1S4X
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
STF140N6F7
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
976
หมายเลขชิ้นส่วน
STF140N6F7-DG
ราคาต่อหน่วย
0.85
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
IPA029N06NXKSA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
494
หมายเลขชิ้นส่วน
IPA029N06NXKSA1-DG
ราคาต่อหน่วย
1.38
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
TK6A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
