หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
รายละเอียด:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
สินค้าคงคลัง:
12889259
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
wUXL
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SSM6J206FE(TE85L,F สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
20 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
2A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
1.8V, 4V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (สูงสุด)
±8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
335 pF @ 10 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
500mW (Ta)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
ES6
แพคเกจ / เคส
SOT-563, SOT-666
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SSM6J206
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
4,000
ชื่ออื่น ๆ
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
NTZS3151PT1G
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
17660
หมายเลขชิ้นส่วน
NTZS3151PT1G-DG
ราคาต่อหน่วย
0.07
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
TK7S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
