หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RN2904FE,LF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
RN2904FE,LF-DG
คำอธิบาย:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
สินค้าคงคลัง:
4000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12890332
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
5hyf
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RN2904FE,LF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์, ที่มีการปรับแรงดันล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
47kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
47kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
200MHz
กําลัง - สูงสุด
100mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
ES6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN2904
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
4,000
ชื่ออื่น ๆ
RN2904FELFDKR-DG
RN2904FE,LF(CB
RN2904FELFTR-DG
RN2904FELF(CTTR
RN2904FELF(CTTR-DG
264-RN2904FE,LFDKR
264-RN2904FE,LFCT
RN2904FELFCT-DG
RN2904FELF(CTDKR
264-RN2904FE,LFTR
RN2904FELFTR
RN2904FELF(CTCT-DG
RN2904FELFCT
RN2904FELFDKR
RN2904FELF(CTDKR-DG
RN2904FE,LF(CT
RN2904FELF(CTCT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RN1710,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
RN2909(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4902FE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
