RN2708,LF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:

RN2708,LF

Product Overview

ผู้ผลิต:

Toshiba Semiconductor and Storage

หมายเลขชิ้นส่วน:

RN2708,LF-DG

คำอธิบาย:

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV

สินค้าคงคลัง:

3000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12890745
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
8rsM
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง

RN2708,LF สเปคทางเทคนิค

หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์, ที่มีการปรับแรงดันล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
22kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
47kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
200MHz
กําลัง - สูงสุด
200mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
USV
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN2708

ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร

เอกสารข้อมูลสินค้า

ข้อมูลเพิ่มเติม

แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
RN2708LFDKR
RN2708LFTR
RN2708LFCT
RN2708,LF(B

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2903FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DDA124EH-7

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2502(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN49A1(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6