หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RN2507(TE85L,F)
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
RN2507(TE85L,F)-DG
คำอธิบาย:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
สินค้าคงคลัง:
15 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12891114
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
bTCB
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RN2507(TE85L,F) สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์, ที่มีการปรับแรงดันล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
10kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
47kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
200MHz
กําลัง - สูงสุด
300mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
SC-74A, SOT-753
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SMV
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN2507
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
RN2507(TE85LF)DKR
RN2507(TE85LF)CT
RN2507(TE85LF)TR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
RoHS Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RN4983,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4902,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
