บ้าน
สินค้า
ผู้ผลิต
เกี่ยวกับ DiGi
ติดต่อเรา
บล็อกและโพสต์
ขอราคา/ใบเสนอราคา
Thailand
เข้าสู่ระบบ
เลือกภาษา
ภาษาปัจจุบันที่คุณเลือก
Thailand
สวิทช์:
ปุ่ม
ยุโรป
สหราชอาณาจักร
ฝรั่งเศส
สเปน
ตุรกี
มอลโดวา
ลิธัวเนีย
นอร์เวย์
เยอรมนี
โปรตุเกส
สโลวาเกีย
ltaly
ฟินแลนด์
รัสเซีย
บัลแกเรีย
เดนมาร์ก
เอสโทเนีย
โปแลนด์
ยูเครน
สโลวีเนีย
เชก
กรีก
โครเอเชีย
อิสราเอล
เซอร์เบียแอนด์มอนเทเนโกร
เบลารุส
เนเธอร์แลนด์
สวีเดน
มอนเตเนโกร
บาส์ก
ไอซ์แลนด์
บอสเนีย
ฮังการี
โรมาเนีย
ออสเตรีย
เบลเยียม
ไอร์แลนด์
เอเชีย / แปซิฟิก
จีน
เวียดนาม
อินโดนีเซีย
ไทย
ลาว
ฟิลิปปินส์
มาเลเซีย
เกาหลี
ญี่ปุ่น
ฮ่องกง
ไต้หวัน
สิงคโปร์
ปากีสถาน
ซาอุดิอาระเบีย
กาตาร์
คูเวต
กัมพูชา
พม่า
แอฟริกาอินเดียและตะวันออกกลาง
สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์
ทาจิกิสถาน
มาดากัสการ์
อินเดีย
อิหร่าน
ดีอาร์คองโก
แอฟริกาใต้
อียิปต์
เคนย่า
แทนซาเนีย
กานา
เซเนกัล
โมร็อคโค
ตูนิเซีย
อเมริกาใต้ / โอเชียเนีย
นิวซีแลนด์
แองโกลา
บราซิล
โมซัมบิก
เปรู
โคลัมเบีย
ชิลี
เวเนซุเอลา
เอกวาดอร์
โบลิเวีย
อุรุกวัย
อาร์เจนติน่า
ปารากวัย
ออสเตรเลีย
อเมริกาเหนือ
สหรัฐอเมริกา
เฮติ
แคนาดา
คอสตาริก้า
เม็กซิโก
เกี่ยวกับ DiGi
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับเรา
การรับรองของเรา
DiGi แนะนำ
ทำไม DiGi
นโยบาย
นโยบายคุณภาพ
ข้อกำหนดการใช้งาน
การปฏิบัติตาม RoHS
กระบวนการคืนสินค้า
ทรัพยากร
หมวดหมู่สินค้า
ผู้ผลิต
บล็อกและโพสต์
บริการ
การรับประกันคุณภาพ
วิธีการชำระเงิน
การจัดส่งทั่วโลก
อัตราค่าขนส่ง
คำถามที่พบบ่อย
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RN1907,LF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
RN1907,LF-DG
คำอธิบาย:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
สินค้าคงคลัง:
RFQ ออนไลน์
12890545
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
*
บริษัท
*
ชื่อผู้ติดต่อ
*
โทรศัพท์
*
อีเมล
ที่อยู่ในการจัดส่ง
ข้อความ
(
*
) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RN1907,LF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์, ที่มีการปรับแรงดันล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
10kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
47kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
250MHz
กําลัง - สูงสุด
200mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
US6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN1907
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
RN1907-09
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
RN1907LFTR
RN1907LFDKR
RN1907LFCT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
DCX114YU-7-F
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
22097
หมายเลขชิ้นส่วน
DCX114YU-7-F-DG
ราคาต่อหน่วย
0.03
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
ACX114YUQ-7R
ผู้ผลิต
Diodes Incorporated
จำนวนที่มีอยู่
2985
หมายเลขชิ้นส่วน
ACX114YUQ-7R-DG
ราคาต่อหน่วย
0.04
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
PUMH9,115
ผู้ผลิต
Nexperia USA Inc.
จำนวนที่มีอยู่
39858
หมายเลขชิ้นส่วน
PUMH9,115-DG
ราคาต่อหน่วย
0.02
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Direct
หมายเลขชิ้นส่วน
PUMD9,135
ผู้ผลิต
Nexperia USA Inc.
จำนวนที่มีอยู่
9845
หมายเลขชิ้นส่วน
PUMD9,135-DG
ราคาต่อหน่วย
0.02
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
NSVMUN5214DW1T3G
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
9900
หมายเลขชิ้นส่วน
NSVMUN5214DW1T3G-DG
ราคาต่อหน่วย
0.03
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RN2705,LF
PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
RN2704JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1901,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2605(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6