หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RN1902,LXHF(CT
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
RN1902,LXHF(CT-DG
คำอธิบาย:
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
สินค้าคงคลัง:
12973061
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
Yzgu
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RN1902,LXHF(CT สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์, ที่มีการปรับแรงดันล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
10kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีมิต (R2)
10kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
250MHz
กําลัง - สูงสุด
200mW
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
US6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN1902
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
264-RN1902,LXHF(CTTR-DG
264-RN1902,LXHF(CTTR
264-RN1902,LXHF(CTDKR
264-RN1902LXHF(CTTR
264-RN1902LXHF(CTDKR
264-RN1902,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1902LXHF(CTTR-DG
264-RN1902LXHF(CTDKR-DG
264-RN1902,LXHF(CT-DG
264-RN1902LXHF(CT-DG
264-RN1902,LXHF(CT
264-RN1902LXHF(CT
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RN1903,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
UMH25NFHATN
AUTOMOTIVE DUAL DIGITAL TRANSIST
NSBC114EPDXVT1G
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
