หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RN1113MFV,L3F
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
RN1113MFV,L3F-DG
คำอธิบาย:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
สินค้าคงคลัง:
8000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12889823
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RN1113MFV,L3F สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์เบพolar แบบเดียวที่มีการเบียสล่วงหน้า
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN - Pre-Biased
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
47 kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
กําลัง - สูงสุด
150 mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
SOT-723
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
VESM
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RN1113
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
8,000
ชื่ออื่น ๆ
264-RN1113MFV,L3FCT
RN1113MFVL3F-DG
264-RN1113MFV,L3FTR
RN1113MFVL3F
264-RN1113MFV,L3FDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RN2309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1103MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM