หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
HN1C01FU-GR,LF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
HN1C01FU-GR,LF-DG
คำอธิบาย:
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
สินค้าคงคลัง:
2091 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12889176
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
z1ad
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
HN1C01FU-GR,LF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบพolar
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
2 NPN (Dual)
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
150mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
กําลัง - สูงสุด
200mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
80MHz
อุณหภูมิ
125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
US6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
HN1C01
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FU-GRLFINACTIVE
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTDKR-DG
HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FU-GRLF-DG
HN1C01FUGRLFTCT-DG
HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-DG
HN1C01FU-GR,LF(B
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
HN2C01FU-Y(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
