หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SD2206A(T6SEP,F,M
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SD2206A(T6SEP,F,M-DG
คำอธิบาย:
TRANS NPN 120V 2A TO92MOD
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 2 A 900 mW Through Hole TO-92MOD
สินค้าคงคลัง:
12891825
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
BDVW
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SD2206A(T6SEP,F,M สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
2 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
120 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
-
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
กําลัง - สูงสุด
900 mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-92MOD
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SD2206
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SD2206A(T6SEPFM
2SD2206AT6SEPFM
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SC1627A-Y,PASF(M
TRANS NPN 80V 0.4A TO92MOD
2SC4116-BL,LF
TRANS NPN 50V 0.15A SC70
2SC6042,T2HOSH1Q(J
TRANS NPN 375V 1A MSTM
