หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SD2129,LS4ALPSQ(M-DG
คำอธิบาย:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
สินค้าคงคลัง:
12890876
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
JE8g
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SD2129,LS4ALPSQ(M สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
3 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
100 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
2V @ 12mA, 3A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
2000 @ 1.5A, 3V
กําลัง - สูงสุด
2 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220NIS
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SD2129
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SD2129LS4ALPSQM
2SD2129LS4ALPSQ(M
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SC3074-Y(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1930,CKQ(J
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
2SC2859-GR(TE85L,F
TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
