หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SC3669-Y(T2OMI,FM-DG
คำอธิบาย:
TRANS NPN 80V 2A MSTM
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
สินค้าคงคลัง:
12891429
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
pnMA
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SC3669-Y(T2OMI,FM สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
2 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
80 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
1µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
กําลัง - สูงสุด
1 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
100MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
SC-71
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
MSTM
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SC3669
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SC3669-Y(T2OMIFM
2SC3669YT2OMIFM
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SC4604,T6F(J
TRANS NPN 50V 3A TO92MOD
2SA1587-BL,LF
TRANS PNP 120V 0.1A SC70
2SC2859-Y(TE85L,F)
TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
