หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SC2235-O(T6FJT,AF
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SC2235-O(T6FJT,AF-DG
คำอธิบาย:
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
สินค้าคงคลัง:
12890655
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SC2235-O(T6FJT,AF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
800 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
120 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
กําลัง - สูงสุด
900 mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
120MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-92MOD
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SC2235
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SC2235OT6FJTAF
2SC2235-O(T6FJTAF
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0075
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SA949-Y,ONK-1F(M
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
2SC3138-Y(TE85L,F)
TRANS NPN 200V 0.05A TO236
2SA1721RTE85LF
TRANS PNP 300V 0.1A SMINI