หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
คำอธิบาย:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
สินค้าคงคลัง:
12889863
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
bRHJ
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SB1481(TOJS,Q,M) สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
4 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
100 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
2µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
กําลัง - สูงสุด
2 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220NIS
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SB1481
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD