หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SA1869-Y,Q(J
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SA1869-Y,Q(J-DG
คำอธิบาย:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
สินค้าคงคลัง:
12891500
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
pQrR
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SA1869-Y,Q(J สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
3 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
1µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
กําลัง - สูงสุด
10 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
100MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-220NIS
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SA1869
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SA1869YQJ
2SA1869-YQ(J
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0075
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
2SA2097(TE16L1,NQ)
ผู้ผลิต
Toshiba Semiconductor and Storage
จำนวนที่มีอยู่
72
หมายเลขชิ้นส่วน
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
ราคาต่อหน่วย
0.25
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SD2257(Q,M)
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
2SC3074-O(Q)
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
2SA1182-Y,LF
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
