หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SA1013-O,T6MIBF(J
Product Overview
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SA1013-O,T6MIBF(J-DG
คำอธิบาย:
TRANS PNP 160V 1A TO92L
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
สินค้าคงคลัง:
12889894
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
5Nlz
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SA1013-O,T6MIBF(J สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
1 A
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
160 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
1µA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
กําลัง - สูงสุด
900 mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
50MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-92L
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
2SA1013
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1
ชื่ออื่น ๆ
2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
KSA1013YBU
ผู้ผลิต
onsemi
จำนวนที่มีอยู่
3030
หมายเลขชิ้นส่วน
KSA1013YBU-DG
ราคาต่อหน่วย
0.13
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Parametric Equivalent
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
2SA2060(TE12L,F)
TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
2SC6040(TPF2,Q,M)
TRANS NPN 800V 1A MSTM
2SA949-O(TE6,F,M)
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
