หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
STQ1NK60ZR-AP
Product Overview
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
หมายเลขชิ้นส่วน:
STQ1NK60ZR-AP-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
สินค้าคงคลัง:
7349 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12877823
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
STQ1NK60ZR-AP สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
บรรจุภัณฑ์
Tape & Box (TB)
อนุกรม
SuperMESH™
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 50µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
94 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-92-3
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
STQ1NK60
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,000
ชื่ออื่น ๆ
-497-12343-1
STQ1NK60ZRAP
-497-12343-3
497-12343-1
497-12343-3
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
STW43NM60ND
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STP21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
STL40N75LF3
MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT