หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SCTWA10N120
Product Overview
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
หมายเลขชิ้นส่วน:
SCTWA10N120-DG
คำอธิบาย:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
รายละเอียด:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
สินค้าคงคลัง:
500 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12876962
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
dNYJ
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SCTWA10N120 สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
บรรจุภัณฑ์
Tube
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
1200 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
12A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 250µA (Typ)
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)
+25V, -10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
300 pF @ 1000 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
110W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
HiP247™ Long Leads
แพคเกจ / เคส
TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SCTWA10
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
30
ชื่ออื่น ๆ
-1138-SCTWA10N120
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
MSC360SMA120B
ผู้ผลิต
Microchip Technology
จำนวนที่มีอยู่
138
หมายเลขชิ้นส่วน
MSC360SMA120B-DG
ราคาต่อหน่วย
4.74
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
STP15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
STB80NF55-08AG
MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
STF17N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
