หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
2SA1208S-AE
Product Overview
ผู้ผลิต:
Sanyo
หมายเลขชิ้นส่วน:
2SA1208S-AE-DG
คำอธิบาย:
2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
รายละเอียด:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 70 mA 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
สินค้าคงคลัง:
65000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12996487
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
SlG0
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
2SA1208S-AE สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เดี่ยว
ผู้ผลิต
บรรจุภัณฑ์
Bulk
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
PNP
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
70 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
160 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
400mV @ 3mA, 30mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
100nA (ICBO)
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
140 @ 10mA, 5V
กําลัง - สูงสุด
900 mW
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
150MHz
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพคเกจ / เคส
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
3-MP
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,049
ชื่ออื่น ๆ
2156-2SA1208S-AE-600057
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Vendor Undefined
สถานะ REACH
REACH Unaffected
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
BD17910STU
TRANS NPN 80V 3A TO126-3
BC54-16PA,115
NEXPERIA BC54-16PA - SMALL SIGNA
BC56-10PA,115
NEXPERIA BC56-10PA - SMALL SIGNA
