หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SCT3030AW7TL
Product Overview
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
SCT3030AW7TL-DG
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
รายละเอียด:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 267W Surface Mount TO-263-7
สินค้าคงคลัง:
437 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12977968
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SCT3030AW7TL สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
ROHM Semiconductor
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
650 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5.6V @ 13.3mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)
+22V, -4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1526 pF @ 500 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
267W
อุณหภูมิ
175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-263-7
แพคเกจ / เคส
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SCT3030
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
846-SCT3030AW7TLCT
846-SCT3030AW7TLTR
846-SCT3030AW7TLDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
