หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
RT1A060APTR
Product Overview
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
RT1A060APTR-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
รายละเอียด:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
สินค้าคงคลัง:
56 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
13524374
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
iv15
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
RT1A060APTR สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
ROHM Semiconductor
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Not For New Designs
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
12 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
6A (Ta)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
19mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 1mA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)
-8V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
7800 pF @ 6 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
600mW (Ta)
อุณหภูมิ
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-TSST
แพคเกจ / เคส
8-SMD, Flat Lead
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
RT1A060
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารความน่าเชื่อถือ
ทรัพยากรการออกแบบ
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
RT1A060APTRDKR
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRTR
RT1A060APTRDKR-ND
RT1A060APCT
RT1A060APTRCT-ND
RT1A060APTRTR-ND
RT1A060APDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
RTL020P02FRATR
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
RSE002N06TL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
