หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
NVMFD5C650NLWFT1G
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
NVMFD5C650NLWFT1G-DG
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
รายละเอียด:
Mosfet Array 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
สินค้าคงคลัง:
1340 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12842812
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
NVMFD5C650NLWFT1G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET, อาร์เรย์ MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
การกําหนดค่า
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
-
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
60V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.2V @ 98µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
16nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2546pF @ 25V
กําลัง - สูงสุด
3.5W (Ta), 125W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
Automotive
คุณสมบัติ
AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
8-PowerTDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
NVMFD5
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,500
ชื่ออื่น ๆ
NVMFD5C650NLWFT1GOSDKR
NVMFD5C650NLWFT1GOSTR
NVMFD5C650NLWFT1GOSCT
NVMFD5C650NLWFT1G-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
NTJD4158CT2G
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
NTJD5121NT2G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
SQJ500EP
MOSFET N/P-CH 40V DPAK
