หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
MUN2216T1G
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
MUN2216T1G-DG
คำอธิบาย:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
รายละเอียด:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
สินค้าคงคลัง:
9000 ชิ้น ใหม่ ของแท้ มีสินค้าในสต็อก
12855411
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
x6FB
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
MUN2216T1G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
ทวินโพลา (BJT), ทรานซิสเตอร์เบพolar แบบเดียวที่มีการเบียสล่วงหน้า
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
-
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN - Pre-Biased
กระแสไฟฟ้า - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
100 mA
แรงดันไฟฟ้า - การพังทลายของตัวปล่อยตัวสะสม (สูงสุด)
50 V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1)
4.7 kOhms
อัตราขยายกระแสไฟ DC (hFE) (ต่ําสุด) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด)
500nA
กําลัง - สูงสุด
338 mW
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพคเกจ / เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SC-59
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
MUN2216
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
3,000
ชื่ออื่น ๆ
2156-MUN2216T1G-OS
ONSONSMUN2216T1G
MUN2216T1GOSTR
MUN2216T1G-DG
MUN2216T1GOSCT
MUN2216T1GOSDKR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.21.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
MMUN2217LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MMUN2135LT1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
NSVDTA123EM3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
