หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQU1N80TU
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQU1N80TU-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
รายละเอียด:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK
สินค้าคงคลัง:
12837942
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
BQTE
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQU1N80TU สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
800 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
1A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
195 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
IPAK
แพคเกจ / เคส
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQU1N80
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
70
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
Not Applicable
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
2SK4099LS-1E
MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS
