หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQT1N80TF-WS
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQT1N80TF-WS-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
รายละเอียด:
N-Channel 800 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
สินค้าคงคลัง:
12847036
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
rwC9
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQT1N80TF-WS สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
800 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
195 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.1W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
SOT-223-3
แพคเกจ / เคส
TO-261-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQT1N80
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
4,000
ชื่ออื่น ๆ
FQT1N80TF_WSTR-DG
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF-WSDKR
FQT1N80TF_WSDKR
FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
FQT1N80TF_WSDKR-DG
FQT1N80TF-WSTR
FQT1N80TF_WSCT-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
HUFA75637S3ST
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK