บ้าน
สินค้า
ผู้ผลิต
เกี่ยวกับ DiGi
ติดต่อเรา
บล็อกและโพสต์
ขอราคา/ใบเสนอราคา
Thailand
เข้าสู่ระบบ
เลือกภาษา
ภาษาปัจจุบันที่คุณเลือก
Thailand
สวิทช์:
ปุ่ม
ยุโรป
สหราชอาณาจักร
ฝรั่งเศส
สเปน
ตุรกี
มอลโดวา
ลิธัวเนีย
นอร์เวย์
เยอรมนี
โปรตุเกส
สโลวาเกีย
ltaly
ฟินแลนด์
รัสเซีย
บัลแกเรีย
เดนมาร์ก
เอสโทเนีย
โปแลนด์
ยูเครน
สโลวีเนีย
เชก
กรีก
โครเอเชีย
อิสราเอล
เซอร์เบียแอนด์มอนเทเนโกร
เบลารุส
เนเธอร์แลนด์
สวีเดน
มอนเตเนโกร
บาส์ก
ไอซ์แลนด์
บอสเนีย
ฮังการี
โรมาเนีย
ออสเตรีย
เบลเยียม
ไอร์แลนด์
เอเชีย / แปซิฟิก
จีน
เวียดนาม
อินโดนีเซีย
ไทย
ลาว
ฟิลิปปินส์
มาเลเซีย
เกาหลี
ญี่ปุ่น
ฮ่องกง
ไต้หวัน
สิงคโปร์
ปากีสถาน
ซาอุดิอาระเบีย
กาตาร์
คูเวต
กัมพูชา
พม่า
แอฟริกาอินเดียและตะวันออกกลาง
สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์
ทาจิกิสถาน
มาดากัสการ์
อินเดีย
อิหร่าน
ดีอาร์คองโก
แอฟริกาใต้
อียิปต์
เคนย่า
แทนซาเนีย
กานา
เซเนกัล
โมร็อคโค
ตูนิเซีย
อเมริกาใต้ / โอเชียเนีย
นิวซีแลนด์
แองโกลา
บราซิล
โมซัมบิก
เปรู
โคลัมเบีย
ชิลี
เวเนซุเอลา
เอกวาดอร์
โบลิเวีย
อุรุกวัย
อาร์เจนติน่า
ปารากวัย
ออสเตรเลีย
อเมริกาเหนือ
สหรัฐอเมริกา
เฮติ
แคนาดา
คอสตาริก้า
เม็กซิโก
เกี่ยวกับ DiGi
เกี่ยวกับเรา
เกี่ยวกับเรา
การรับรองของเรา
DiGi แนะนำ
ทำไม DiGi
นโยบาย
นโยบายคุณภาพ
ข้อกำหนดการใช้งาน
การปฏิบัติตาม RoHS
กระบวนการคืนสินค้า
ทรัพยากร
หมวดหมู่สินค้า
ผู้ผลิต
บล็อกและโพสต์
บริการ
การรับประกันคุณภาพ
วิธีการชำระเงิน
การจัดส่งทั่วโลก
อัตราค่าขนส่ง
คำถามที่พบบ่อย
หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQD9N08TM
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQD9N08TM-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
รายละเอียด:
N-Channel 80 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
สินค้าคงคลัง:
RFQ ออนไลน์
12923728
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
*
บริษัท
*
ชื่อผู้ติดต่อ
*
โทรศัพท์
*
อีเมล
ที่อยู่ในการจัดส่ง
ข้อความ
(
*
) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQD9N08TM สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
80 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
210mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±25V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
250 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-252AA
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQD9
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
FQD9N08TM-DG
เอกสารข้อมูล
FQD9N08TM
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,500
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR120TRPBF
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
2529
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR120TRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.54
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR120NTRPBF
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
27902
หมายเลขชิ้นส่วน
IRFR120NTRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.34
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
IRLR120TRPBF
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
4781
หมายเลขชิ้นส่วน
IRLR120TRPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.55
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
STD6NF10T4
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
4791
หมายเลขชิ้นส่วน
STD6NF10T4-DG
ราคาต่อหน่วย
0.38
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FQA12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
JAN2N6802
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO39
JANTX2N6762
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA
IRF9Z34PBF
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB