หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQD6N60CTM-WS
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQD6N60CTM-WS-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
รายละเอียด:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
สินค้าคงคลัง:
12847846
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQD6N60CTM-WS สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
600 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
810 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
80W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-252AA
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQD6N60
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,500
ชื่ออื่น ๆ
FQD6N60CTM_WS
FQD6N60CTM_WS-DG
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IPD60R2K1CEAUMA1
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
10286
หมายเลขชิ้นส่วน
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
ราคาต่อหน่วย
0.17
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
