หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQD4P25TF
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQD4P25TF-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
รายละเอียด:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
สินค้าคงคลัง:
12850408
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
vqrP
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQD4P25TF สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
250 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
420 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-252AA
แพคเกจ / เคส
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQD4
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
2,000
ชื่ออื่น ๆ
Q1585607A
FQD4P25TF-NDR
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FQPF10N60C_F105
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
FDD6670AS
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
