หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQB34P10TM
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQB34P10TM-DG
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
รายละเอียด:
P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
สินค้าคงคลัง:
12837250
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQB34P10TM สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภท FET
P-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
33.5A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
60mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±25V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2910 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-263 (D2PAK)
แพคเกจ / เคส
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQB34P10
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
เอกสารข้อมูลสินค้า
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
800
ชื่ออื่น ๆ
FQB34P10TM-DG
FQB34P10TMTR
FQB34P10TMCT
2156-FQB34P10TM-OS
FQB34P10TMDKR
ONSONSFQB34P10TM
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
สถานะ RoHS
ROHS3 Compliant
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF5210STRLPBF
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
7933
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF5210STRLPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
1.26
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
หมายเลขชิ้นส่วน
AUIRF5210STRL
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
951
หมายเลขชิ้นส่วน
AUIRF5210STRL-DG
ราคาต่อหน่วย
3.03
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FDP3205
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
FDH44N50
MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
FDP3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3