หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
FQB2N80TM
Product Overview
ผู้ผลิต:
onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FQB2N80TM-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
รายละเอียด:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
สินค้าคงคลัง:
12846217
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
FQB2N80TM สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
onsemi
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
QFET®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
800 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
550 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
TO-263 (D2PAK)
แพคเกจ / เคส
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
FQB2
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
800
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF540NSTRLPBF
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
จำนวนที่มีอยู่
7309
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF540NSTRLPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.52
ประเภทการแลกเปลี่ยน
Similar
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
FQP630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
CPH6341-M-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
